기억장치, 시스템반도체, 소부장 115개 연구개발 과제를 통한 인력 양성

[보안뉴스 박미영 기자] 산업통상자원부는 반도체 석박사 고급인력 양성을 위한 ‘민관공동투자 반도체 고급인력 양성 사업(이하 민관 공동 R&D 사업)’의 민관공동투자 유치 체결식을 지난 23일 개최했다.

이날 행사에는 산업계를 대표한 삼성전자·SK하이닉스가 참여해 ‘민관공동투자 반도체 고급인력 양성 사업 투자협력 양해각서’를 체결하고, 총 사업비 2,228억원을 정부와 함께 투자하기로 했다.

산업부는 지난 7월 21일 발표한 ‘반도체 초강대국 달성 전략’의 후속 조치로 반도체 석박사 고급인력 양성을 위한 민관 공동 연구개발(R&D) 사업을 산업계 및 전문기관과 함께 준비해 왔다.

민관 공동 연구개발(R&D) 사업은 석박사 과정 인력이 산업계 수요 R&D 과제를 수행해 기업이 요구하는 전문역량을 보유한 고급인력으로 양성되는 사업으로, 기업이 직접 발굴·제안한 연구개발(R&D) 과제를 통해 기업은 대학의 인력을 활용해 핵심 원천기술을 확보하고 대학은 기업의 연구개발(R&D) 과제 수행을 통해 기업과의 기술 간극을 해소해 실전 경험을 보유한 전문인력을 양성한다. 이를 통해 향후 10년간 2,365명 이상의 실전형 석박사 고급인력을 배출할 수 있을 것으로 기대된다.

반도체 업계와 산업부는 민관 공동 연구개발(R&D) 사업을 위해 반도체 인력 양성과 연구개발 생태계 조성을 위한 투자 참여 및 협력 지원 등의 업무협약(MOU)을 체결했다.

정부와 업계는 2023~2032년 총 사업비 2,228억원을 50대 50으로 투자해 산업계가 필요한 반도체 전체 분야의 핵심 기술 확보 및 실전형 고급인력 양성을 위해 전방위적으로 지원할 예정이다.

또한, 업계는 반도체 첨단 기술 확보 및 우수 인력 양성을 위한 과제 발굴부터 기업 엔지니어의 기술멘토링을 통한 대학의 산학 연구개발(R&D) 지원까지 적극 협력하기로 약속했다.

이를 위해 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 민관 공동 연구개발(R&D) 과제 기획 시 반도체 선단기술개발 및 애로기술 해소를 위한 과제 발굴에 적극적으로 참여했으며, 이를 통해 정부는2023년 R&D 과제 47건을 추진한다.

민관공동투자 유치 체결식과 함께 개최된 ‘반도체 발전전략 포럼’은 글로벌 반도체 경제 전망 분석, 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술 전망 발표 등을 통해 산학연 간의 반도체 정보 교류 및 소통의 장이 됐다.

산업부 이용필 첨단산업정책관은 “민관공동투자 유치 체결식은 산업기술 패권의 핵심인 반도체 산업의 기술경쟁력 확보 및 우수 인력 양성이라는 두 가지 숙제를 민간과 정부가 원팀으로 해결해 가는 중요한 첫걸음으로, 정부는 지속적으로 민간과 협력해 선순환적인 반도체 산업의 생태계 조성를 위해 노력해 나가겠다”고 말했다.
[박미영 기자(mypark@boannews.com)]

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